Nexperia N Kanal, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, DFN, PMPB20EN

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
798-2772
Tillv. art.nr:
PMPB20EN,115
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

DFN

Serie

PMPB20EN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

19.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.2nC

Maximal effektförlust Pd

12.5W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

2.1mm

Längd

2.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.65mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanalig MOSFET, upp till 30V


MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.