Nexperia 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 3.2 A 20 V Förbättring, 4 Ben, DFN
- RS-artikelnummer:
- 153-1890
- Tillv. art.nr:
- PMXB43UNEZ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 153-1890
- Tillv. art.nr:
- PMXB43UNEZ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 120mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 8.33W | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.05mm | |
| Längd | 1.15mm | |
| Höjd | 0.36mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 120mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal effektförlust Pd 8.33W | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.05mm | ||
Längd 1.15mm | ||
Höjd 0.36mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
N-kanal MOSFET ≤ 20 V. Få de optimala omkopplingslösningarna för dina bärbara konstruktioner. Välj mellan ett brett utbud av enkel- och dubbel-N-kanal MOSFET upp till 20 V. Stor tillförlitlighet tack vare vår pålitliga TrenchMOS- och höljeteknik. Våra lågspännings MOSFET är lättanvända och speciellt utformade för att uppfylla kraven i bärbara tillämpningar med låga driftspänningar.
20 V, N-kanal Trench MOSFET, N-kanal förstärkningsläge Field-Effect-transistor (FET) i ett ledningsfritt ultralitet DFN1010D-3 (SOT1215) SMD-plasthus med Trench MOSFET-teknik.
Trench MOSFET-teknik
Blyfritt, mycket litet och tunt SMD-plasthus: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Exponerad dräneringskudde för utmärkt värmeledningsförmåga
Mycket lågt drain-source-motstånd i påläge RDSon = 42 mΩ
1 kV ESD-skydd
Lågsidig belastningsomkopplare och laddningsomkopplare för bärbara enheter
Strömhantering i batteridrivna bärbara datorer
LED-drivenhet
DC-till-DC-omvandlare
Relaterade länkar
- Nexperia 1 N Kanal Enkel, MOSFET Förbättring, 4 Ben, DFN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 8 Ben, DFN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 3.2 A 12 V Förbättring, 4 Ben, DFN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 3.2 A 30 V Förbättring, 4 Ben, DFN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, DFN, PMPB20EN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, DFN, PMPB11EN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 2.8 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 4.1 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101