Nexperia 1 N Kanal Enkel, MOSFET Förbättring, 4 Ben, DFN
- RS-artikelnummer:
- 153-1890
- Tillv. art.nr:
- PMXB43UNEZ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
102,825 kr
(exkl. moms)
128,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 4,113 kr | 102,83 kr |
| 125 - 1225 | 2,926 kr | 73,15 kr |
| 1250 - 2475 | 2,84 kr | 71,00 kr |
| 2500 - 3725 | 2,773 kr | 69,33 kr |
| 3750 + | 2,71 kr | 67,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 153-1890
- Tillv. art.nr:
- PMXB43UNEZ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Antal ben | 4 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Längd | 1.15mm | |
| Höjd | 0.36mm | |
| Bredd | 1.05mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kapseltyp DFN | ||
Antal ben 4 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Längd 1.15mm | ||
Höjd 0.36mm | ||
Bredd 1.05mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
N-kanal MOSFET ≤ 20 V. Få de optimala omkopplingslösningarna för dina bärbara konstruktioner. Välj mellan ett brett utbud av enkel- och dubbel-N-kanal MOSFET upp till 20 V. Stor tillförlitlighet tack vare vår pålitliga TrenchMOS- och höljeteknik. Våra lågspännings MOSFET är lättanvända och speciellt utformade för att uppfylla kraven i bärbara tillämpningar med låga driftspänningar.
20 V, N-kanal Trench MOSFET, N-kanal förstärkningsläge Field-Effect-transistor (FET) i ett ledningsfritt ultralitet DFN1010D-3 (SOT1215) SMD-plasthus med Trench MOSFET-teknik.
Trench MOSFET-teknik
Blyfritt, mycket litet och tunt SMD-plasthus: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Exponerad dräneringskudde för utmärkt värmeledningsförmåga
Mycket lågt drain-source-motstånd i påläge RDSon = 42 mΩ
1 kV ESD-skydd
Lågsidig belastningsomkopplare och laddningsomkopplare för bärbara enheter
Strömhantering i batteridrivna bärbara datorer
LED-drivenhet
DC-till-DC-omvandlare
Relaterade länkar
- Nexperia 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET Förbättring, 4 Ben, DFN
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 8 Ben, DFN
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 3.2 A 12 V Förbättring, 4 Ben, DFN
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 3.2 A 30 V Förbättring, 4 Ben, DFN
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, DFN, PMPB11EN
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, DFN, PMPB20EN
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 4.1 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 2.8 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101