STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- RS-artikelnummer:
- 792-6097
- Tillv. art.nr:
- STP4N80K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
111,55 kr
(exkl. moms)
139,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 270 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 22,31 kr | 111,55 kr |
| 10 + | 21,212 kr | 106,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 792-6097
- Tillv. art.nr:
- STP4N80K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 60W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 60W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM K5-serien, SuperMESH5TM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 19.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 19.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5, SuperMESH5