STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 19.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5, SuperMESH5
- RS-artikelnummer:
- 168-7040
- Tillv. art.nr:
- STW25N80K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 325,07 kr
(exkl. moms)
1 656,33 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 44,169 kr | 1 325,07 kr |
| 150 - 270 | 43,62 kr | 1 308,60 kr |
| 300 + | 43,09 kr | 1 292,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7040
- Tillv. art.nr:
- STW25N80K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 260mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Längd | 15.75mm | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 260mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 20.15mm | ||
Längd 15.75mm | ||
Bredd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MA
N-kanal MDmeshTM K5-serien, SuperMESH5TM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 19.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 19.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5