STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

141,12 kr

(exkl. moms)

176,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +28,224 kr141,12 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
791-7832
Tillv. art.nr:
STP7N80K5
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.2Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

110W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

4.6mm

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

15.75mm

N-kanal MDmeshTM K5-serien, SuperMESH5TM, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar