onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, ECH, ECH8310

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
162-9318
Tillv. art.nr:
ECH8310-TL-H
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

ECH8310

Kapseltyp

ECH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

17mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.5W

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2.3mm

Höjd

900μm

Längd

2.9mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

P-kanal effekt-MOSFET, 30 V till 500 V, ON Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.