onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

127,12 kr

(exkl. moms)

158,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 14 540 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +12,712 kr127,12 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
917-5487
Tillv. art.nr:
FDS6576
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOIC

Serie

PowerTrench

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.014Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

43nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Höjd

1.5mm

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.

De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Tack vare denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.

PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda med mjuk diod kan eliminera snubberkretsar eller ersätta en MOSFET med högre spänning.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar