Vishay N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, Si1012CR
- RS-artikelnummer:
- 165-7259
- Tillv. art.nr:
- SI1012CR-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 165-7259
- Tillv. art.nr:
- SI1012CR-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 630mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-75 | |
| Serie | Si1012CR | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 240mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8V, +8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 860μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 800μm | |
| Längd | 1.68mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 630mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-75 | ||
Serie Si1012CR | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 240mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8V, +8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 860μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 800μm | ||
Längd 1.68mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 8 V till 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, Si1012CR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 210 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-75, SiB406EDK
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 6 V, PowerPAK SC-75, SIB
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -36 A -20 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 31 A 40 V Förbättring, 7 Ben, SC-70, SIA
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, ThunderFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8.8 A 100 V Förbättring, 7 Ben, SC-70-6L, SIA