Vishay N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, Si1012CR
- RS-artikelnummer:
- 165-7259
- Tillv. art.nr:
- SI1012CR-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 630,00 kr
(exkl. moms)
4 530,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,21 kr | 3 630,00 kr |
| 6000 + | 1,179 kr | 3 537,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-7259
- Tillv. art.nr:
- SI1012CR-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 630mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-75 | |
| Serie | Si1012CR | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 240mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Längd | 1.68mm | |
| Bredd | 0.86mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 630mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-75 | ||
Serie Si1012CR | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 240mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.8mm | ||
Längd 1.68mm | ||
Bredd 0.86mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 8 V till 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, Si1012CR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 210 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-75, SiB406EDK
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 6 V, PowerPAK SC-75, SIB
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -36 A -20 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-89, Si1077X
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 30.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, SiA471DJ
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, ThunderFET