onsemi 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (10 enheter, i en förpackning med 10)*

78,85 kr

(exkl. moms)

98,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • 2 440 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 907,885 kr78,85 kr
100 - 2406,798 kr67,98 kr
250 - 4905,902 kr59,02 kr
500 - 9905,174 kr51,74 kr
1000 +4,715 kr47,15 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
780-0674
Tillv. art.nr:
NTMD4N03R2G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

0.82V

Maximal effektförlust Pd

2W

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Bredd

4mm

Höjd

1.5mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Dubbel N-kanal MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.