onsemi 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

57,00 kr

(exkl. moms)

71,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 28 850 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +1,14 kr57,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
780-0627
Tillv. art.nr:
NTJD5121NT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

300mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SC-88

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

2.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.9nC

Maximal effektförlust Pd

266mW

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1mm

Bredd

1.35mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.2mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Dubbel N-kanal MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.