onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-70
- RS-artikelnummer:
- 761-3571
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-641
- Tillv. art.nr:
- 2N7002DW
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
156,15 kr
(exkl. moms)
195,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 69 650 enhet(er) levereras från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 3,123 kr | 156,15 kr |
| 500 - 950 | 2,692 kr | 134,60 kr |
| 1000 + | 2,336 kr | 116,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-3571
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-641
- Tillv. art.nr:
- 2N7002DW
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 115mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 200mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 115mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 200mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2mm | ||
Höjd 1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
2N7002DW är en dubbel N-kanalig MOSFET för allmänt ändamål. Den har låg påslagningsresistans och låg tröskelspänning för grinden. Den har också snabb omkopplingshastighet och finns i en ultrasmal ytmonterad kapsling. Denna MOSFET med dubbla N-kanaler används normalt i alla allmänna applikationer, men den är vanligast i motorstyrningar och PMF:er (Power Management Functions).
Funktioner och fördelar:
• Dubbel N-kanal
• Låg påslagningsresistans
• Låg tröskel för grind
• Snabb kopplingshastighet
• Låg läckagefrekvens på in- och utgångar
Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode-fälteffekttransistorer tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-70
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.5 A 12 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, 2N7002T
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.37 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
