onsemi N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, 2N7002T
- RS-artikelnummer:
- 166-2854
- Tillv. art.nr:
- 2N7002T
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 166-2854
- Tillv. art.nr:
- 2N7002T
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 115mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002T | |
| Kapseltyp | SC-89 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 200mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 0.98mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 1.7mm | |
| Höjd | 0.78mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 115mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie 2N7002T | ||
Kapseltyp SC-89 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 200mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 0.98mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 1.7mm | ||
Höjd 0.78mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, 2N7002T
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, 2N7002 AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89
- onsemi N Kanal, MOSFET, 915 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, NTE AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-89-6, PowerTrench
- onsemi Enkel N Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-523 (SC-89), PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 830 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-89, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-70