STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FDmesh

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 193,42 kr

(exkl. moms)

2 741,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 390 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 12073,114 kr2 193,42 kr
150 +71,068 kr2 132,04 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-7473
Tillv. art.nr:
STW34NM60ND
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-247

Serie

FDmesh

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

110mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80.4nC

Maximal effektförlust Pd

190W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.75mm

Bredd

5.15mm

Höjd

20.15mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal FDmeshTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.