onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET, PowerTrench

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

54,32 kr

(exkl. moms)

67,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 510,864 kr54,32 kr
10 - 958,892 kr44,46 kr
100 - 4956,182 kr30,91 kr
500 - 9955,42 kr27,10 kr
1000 +4,57 kr22,85 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
759-9576
Tillv. art.nr:
FDME1024NZT
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

MicroFET

Serie

PowerTrench

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

160mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.4W

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8, +8V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Höjd

0.5mm

Längd

1.6mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.6mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® dubbel N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


ON Semis PowerTrench® MOSFET är optimerade strömomkopplare som erbjuder ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning, liten omvänd återställning och en mjuk diod för omvänd återställning för att bidra till snabb omkoppling av synkron likriktning i AC/DC-nätaggregat.

Mjukt kroppsdiodprestanda för PowerTrench® MOSFET:er kan eliminera snubberkrets eller ersätta en MOSFET med högre spänning.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.