Sök efter MPN

Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

RS-artikelnummer:: 754-5301
Distrelec artikelnummer:: 304-35-439
Tillv. art.nr:: BSC123N08NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

Få en mängdrabatt

Lägg till 50 till för att spara 153,40 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

98,78 kr

(exkl. moms)

123,48 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 18 november 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*	Besparing
5 - 45	19,756 kr	98,78 kr	-
50 - 245	16,688 kr	83,44 kr	153,40 kr
250 - 1245	13,06 kr	65,30 kr	1 674,00 kr
1250 - 2495	9,094 kr	45,47 kr	13 327,50 kr
2500 +	8,624 kr	43,12 kr	27 830,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 754-5301
Distrelec artikelnummer:: 304-35-439
Tillv. art.nr:: BSC123N08NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	55A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	TDSON
	Serie	OptiMOS 3
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	24mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	19nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	66W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.1mm
	Bredd	6.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	5.35mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp TDSON
	Serie OptiMOS 3
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 24mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 66W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.1mm
	Bredd 6.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 5.35mm
	Fordonsstandard Nej

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 till 80V

OptiMOS™-produkterna finns i högpresterande paket för att klara de mest utmanande applikationerna och ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i nästa generations skärpta standarder för spänningsreglering i datortillämpningar.

Snabbswitchande MOSFET för SMPS

Optimerad teknik för DC/DC-omvandlare

Kvalificerad enligt JEDEC1) för målapplikationer

N-kanal, logisk nivå

Utmärkt grindladdning x R DS(on)-produkt (FOM)

Mycket låg på-resistans R DS(on)

Pb-fri plätering

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.