Infineon N Kanal, MOSFET, 74 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5

RS-artikelnummer:: 222-4619
Tillv. art.nr:: BSC072N08NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 74 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

39 915,00 kr

(exkl. moms)

49 895,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 28 september 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	7,983 kr	39 915,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 222-4619
Tillv. art.nr:: BSC072N08NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	74A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	TDSON
	Serie	OptiMOS-TM5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	7.2mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	24nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal effektförlust Pd	69W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.2mm
	Bredd	6.1mm
	Längd	5.35mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 74A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp TDSON
	Serie OptiMOS-TM5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 7.2mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal effektförlust Pd 69W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.2mm
	Bredd 6.1mm
	Längd 5.35mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC072N08NS5ATMA1

Infineon OptiMOS-TM5-serien MOSFET, 80 V maximal drain-källspänning, 74 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC072N08NS5ATMA1

Denna MOSFET är en högströmshalvledare med N-kanal som är utformad för omkoppling och effektomvandling i krävande termiska miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och accepterar grindspänningar upp till 20 V, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver robust grindstyrning och betydande kontinuerlig dräneringsström när den monteras som en kompakt yt-enhet.

Funktioner och fördelar:

• Drain-klassning på 80 V möjliggör tillämpningar med högre omkopplingsspänning
• 74 A kontinuerlig ström stöder kraftiga effektsteg
• 7.2 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 69 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 24 nC typisk grindladdning för förutsägbart omkopplingsbeteende
• 8-stifts TDSON-ytpaket ger kompakta fastighetsbesparingar för kretskort

Användningsområden

• Lämplig för motorstyrningsstegen med hög strömstyrka
• Idealisk för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Används med strömfördelningsmoduler i serverrack
• Kan användas för batterihantering och laddningssystem
• Används för synkron likriktering i strömförsörjningar

Vilka termiska extremer tål den under drift?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C.

Vilket spänningsområde för gate-drivning är tillåtet för omkopplingsstyrning?

Grinden kan drivas upp till 20 V för att växla enheten.

Hur stöder förpackningen automatiserad montering?

Den levereras i ett 8-stifts TDSON-paket avsett för ytmontering.

Vad är den typiska omkopplingsladden att överväga i gate-drivrutiner?

Konstruktörer bör ta hänsyn till en typisk total grindladdning på 24 nC när de väljer en drivare.