Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 560 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- RS-artikelnummer:
- 753-3226
- Tillv. art.nr:
- SPW32N50C3FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
96,21 kr
(exkl. moms)
120,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 29 enhet(er) från den 31 augusti 2026
- Dessutom levereras 3 enhet(er) från den 31 augusti 2026
- Dessutom levereras 114 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 96,21 kr |
| 10 - 24 | 91,50 kr |
| 25 - 49 | 89,38 kr |
| 50 - 99 | 83,78 kr |
| 100 + | 77,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 753-3226
- Tillv. art.nr:
- SPW32N50C3FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 32A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 560V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 110mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 284W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 16.13mm | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 32A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 560V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 110mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 284W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 16.13mm | ||
Höjd 21.1mm | ||
Bredd 5.21mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS™C3 kraft-MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 560 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 560 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3 AEC-Q101
- Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET, 4.5 A, 560 V, 3-Pin DPAK SPD04N50C3ATMA1