Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 109 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4727
- Tillv. art.nr:
- IPZ60R017C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
203,50 kr
(exkl. moms)
254,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 104 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 203,50 kr |
| 2 - 4 | 193,31 kr |
| 5 - 9 | 185,02 kr |
| 10 - 24 | 177,18 kr |
| 25 + | 164,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4727
- Tillv. art.nr:
- IPZ60R017C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 109A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 446W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 240nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 109A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 446W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 240nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 21.1mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av Cool MOSTM C7 är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. 600 V Cool MOSTM C7-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i högklass. 600 V C7 är den första tekniken någonsin med RDS(on)*A under 1 ohm*mm.
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Överlägsen värmebeständighet 100 % avalanche-testad
Halogenfri enligt IEC61249-2-23
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 109 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 109 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 109 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 76 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS S5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7