Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- RS-artikelnummer:
- 911-4943
- Tillv. art.nr:
- SPW17N80C3FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
983,82 kr
(exkl. moms)
1 229,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 32,794 kr | 983,82 kr |
| 60 - 120 | 31,808 kr | 954,24 kr |
| 150 - 270 | 30,826 kr | 924,78 kr |
| 300 + | 29,516 kr | 885,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 911-4943
- Tillv. art.nr:
- SPW17N80C3FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 290mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 88nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 227W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 290mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 88nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 227W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 21.1mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon CoolMOS™C3 kraft-MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 560 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 560 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3