Infineon N Kanal, MOSFET, 20.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 462-3449
- Tillv. art.nr:
- SPW20N60C3FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 29,10 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
56,45 kr
(exkl. moms)
70,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 152 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 205 enhet(er) från den 12 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 56,45 kr | - |
| 10 - 24 | 53,54 kr | 29,10 kr |
| 25 - 49 | 51,18 kr | 131,75 kr |
| 50 - 99 | 49,06 kr | 369,50 kr |
| 100 + | 45,58 kr | 1 087,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 462-3449
- Tillv. art.nr:
- SPW20N60C3FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 208W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.3mm | |
| Höjd | 20.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 208W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.3mm | ||
Höjd 20.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOSTM C3-serien MOSFET, 21 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 208 W maximal effektförlust - SPW20N60C3FKSA1
Denna MOSFET är avgörande för många elektroniska tillämpningar, utformad för att förbättra effektiviteten i olika uppgifter. Den fungerar bra i miljöer med hög effekt och tjänar automations-, el- och mekaniksektorerna. Med hållbara specifikationer säkerställer den stabil prestanda samtidigt som den hanterar betydande effektbelastningar och optimerar energianvändningen.
Funktioner & fördelar
• N-kanalkonfigurationen förbättrar ledningsförmågan
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 21 A stöder intensiva tillämpningar
• Hög spänning på 650 V ger tillförlitlighet under utmanande förhållanden
• Låg grindladdning underlättar effektiv omkoppling, vilket minskar energiförluster
• Utmärkt termisk prestanda möjliggör drift vid förhöjda temperaturer
• Utformad för genomgående hålmontering, vilket förenklar monteringsprocedurer
Användningsområden
• Strömförsörjningsreglering och hantering i industriella system
• Motorstyrningssystem för effektiv strömförsörjning
• Används i DC-DC-omvandlare för hög spänning
• Integrerad i förnybara energisystem för effektiv energiomvandling
• Används inom kraftelektronik för förbättrad enhetsprestanda
Vad är den maximala drifttemperaturen för denna komponent?
Den fungerar effektivt vid en maximal temperatur på +150 °C, lämplig för miljöer med hög temperatur utan att kompromissa med prestandan.
Hur gynnar den låga grindladdningen enhetens drift?
En låg grindladdning möjliggör snabbare omkopplingshastigheter, vilket minskar omkopplingsförlusterna avsevärt och förbättrar den totala effektiviteten under drift.
Kan denna MOSFET hantera upprepad högtemperaturcykling?
Ja, den är utformad för att bibehålla sina elektriska egenskaper under många termiska cykler, vilket säkerställer lång livslängd i varierande temperaturmiljöer.
Finns det en specifik monteringsstil som rekommenderas för denna enhet?
Denna enhet är avsedd för genomgående hålmontering, vilket underlättar kretskortsmontering och ger stabila mekaniska anslutningar.
Vilka säkerhetsåtgärder bör vidtas under installationen?
Se till att grind-källspänningen inte överskrider angivna gränser (-20 V till +20 V) för att förhindra skador på enheten och följ vanliga ESD-föreskrifter för att undvika statiska skador.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon, MOSFET, 20.7 A 650 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS^TM
- Infineon N Kanal, MOSFET, 32 A 560 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 560 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3