Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 560 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- RS-artikelnummer:
- 753-3217
- Tillv. art.nr:
- SPW16N50C3FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
48,27 kr
(exkl. moms)
60,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 17 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 4 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 282 enhet(er) från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 48,27 kr |
| 10 - 24 | 45,81 kr |
| 25 - 49 | 43,79 kr |
| 50 - 99 | 42,11 kr |
| 100 + | 39,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 753-3217
- Tillv. art.nr:
- SPW16N50C3FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 560V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 560V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.21mm | ||
Höjd 21.1mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS™C3 kraft-MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 560 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 32 A 560 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63.3 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS