Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 190 mA 250 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, SIPMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 145-9451
Tillv. art.nr:: BSS192PH6327FTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 190 mA 250 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, SIPMOS AEC-Q101

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

2 001,00 kr

(exkl. moms)

2 501,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 18 november 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	2,001 kr	2 001,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 145-9451
Tillv. art.nr:: BSS192PH6327FTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	190mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	250V
	Kapseltyp	SOT-89
	Serie	SIPMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	20Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	4.9nC
	Framåtriktad spänning Vf	-1.1V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.5mm
	Längd	4.5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	2.5mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 190mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 250V
	Kapseltyp SOT-89
	Serie SIPMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 20Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.9nC
	Framåtriktad spänning Vf -1.1V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.5mm
	Längd 4.5mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 2.5mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 250 V maximal drain-källspänning, 190 mA maximal kontinuerlig drain-ström – BSS192PH6327FTSA1

Denna MOSFET är en P-kanal-enhet som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande elektriska miljöer. Den fungerar som en förstärkningstransistor som är lämplig för tillämpningar som kräver kontrollerad högspänningsswitchning och hantering av låg kontinuerlig ström, och fungerar över ett brett temperaturområde för användning i reglerade system och fordonselektronik.

Funktioner och fördelar:

• 250 V drain‐source-klassning möjliggör högspänningsväxlingskapacitet
• Kontinuerlig dräneringsström på 190 mA med stöd för kontroll av lågströmsbelastning
• Maximal Rds på 20 Ω minskar ledningsförlusten i lågströmskretsar
• 4,9 nC typisk grindladdning vid Vgs säkerställer förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V grind-källgräns möjliggör enkla grinddrivkonstruktioner
• Maximal effektförlust på 1 W hanterar termiska begränsningar i kompakta layouter

Användningsområden

• Lämplig för omkoppling av sensorspänning i fordon
• Idealisk för skyddskretsar med låg effekt och omvänd polaritet
• Används med högspänningsbatterihanteringssystem
• Kan användas för att byta ut små reläer i styrmoduler
• Lämplig för ytmonterad strömfördelning på kompakta kort

Vilket temperaturområde kan den tolerera under tuffa förhållanden?

Den fungerar tillförlitligt från -55 °C upp till 150 °C för att passa miljöer med utökade temperaturer.

Hur många stift har paketet för kretskortslayout?

Komponenten levereras med tre stift, vilket möjliggör standard SOT‐89-fotavtryck.

Vilken förpackningstyp bör designers förvänta sig för montering?

Den levereras i ett SOT‐89-paket för ytmontering, skräddarsydd för kompakta kretskortsdesigner.

Är enheten klassad för fordonskvalificeringsstandarder?

Den överensstämmer med AEC-Q101 och uppfyller industrins stressträngar för fordonsanvändning.