Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 752-8164
- Tillv. art.nr:
- BSC093N04LSGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
63,39 kr
(exkl. moms)
79,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 26 455 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 12,678 kr | 63,39 kr |
| 50 - 245 | 10,618 kr | 53,09 kr |
| 250 - 1245 | 6,944 kr | 34,72 kr |
| 1250 - 2495 | 5,488 kr | 27,44 kr |
| 2500 + | 5,13 kr | 25,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 752-8164
- Tillv. art.nr:
- BSC093N04LSGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 49A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 6.35mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 49A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 6.35mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM 3-serien MOSFET, 49 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 2,5 W maximal effektförlust - BSC093N04LSGATMA1
Denna MOSFET är utformad för effektiv strömhantering och styrning, och spelar en betydande roll i automations- och elektriska tillämpningar som kräver hög prestanda. Integreringen förbättrar kretsens effektivitet, vilket bidrar till övergripande systemtillförlitlighet och reaktionsförmåga i olika miljöer.
Funktioner & fördelar
• Ger en maximal kontinuerlig dräneringsström på 49 A
• Fungerar effektivt i ett spänningsområde på 40 V
• Lågt drain-source-motstånd förbättrar prestandan
• Stöder ytmonterad design för enklare integration
• Hög termisk stabilitet med en maximal temperaturklassning på +150 °C
• Lämpligt för olika tillämpningar tack vare ett brett grindtröskelspänningsområde
Användningsområden
• Idealisk för strömförsörjning inom automation och robotteknik
• Används i laddningssystem för elfordon
• Lämpligt för strömförsörjnings- och konverteringsuppgifter
• Används i motorstyrningskretsar och drivkretsar
• Används inom telekommunikation för effektiv signalhantering
Vilken typ av belastning kan denna enhet hantera effektivt?
Den kan hantera laster upp till 49 A, vilket gör den lämplig för högströmstillämpningar inom olika branscher.
Är den kompatibel med ytmonteringsteknik?
Ja, den har en ytmonterad design, vilket underlättar enkel installation på kretskort.
Vilka är grindspänningsbegränsningarna för denna komponent?
Enheten har grind-källspänningsgränser på -20 V till +20 V, vilket möjliggör flexibilitet i kretsdesigner.
Kan den fungera i extrema temperaturförhållanden?
Ja, den fungerar effektivt inom ett temperaturområde från -55 °C till +150 °C, vilket säkerställer funktionalitet i tuffa miljöer.
Infineon OptiMOSTM3 effekt-MOSFET, upp till 40 V
OptiMOSTM-produkter finns i högpresterande kapslingar för att hantera de mest utmanande applikationerna, vilket ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i de skärpta nästa generations standarder för spänningsreglering i datortillämpningar.
MOSFET med snabb switchning för SMPS
Optimerad teknik för DC/DC-omvandlare
Godkänd enligt JEDEC1) för måltillämpningar
N-kanal, logiknivå
Utmärkt grindladdning x R DS(on)-produkt (FOM)
Mycket låg påslagningsresistans R DS(on)
Blyfri plätering
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 275 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 34 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 147 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS