DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS84W AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- RS-artikelnummer:
- 121-9434
- Tillv. art.nr:
- BSS84W-7-F
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 298,00 kr
(exkl. moms)
2 874,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,766 kr | 2 298,00 kr |
| 9000 + | 0,739 kr | 2 217,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 121-9434
- Tillv. art.nr:
- BSS84W-7-F
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 130mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Serie | BSS84W | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 200mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.59nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.2mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 130mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Serie BSS84W | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 200mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.59nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.2mm | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.35mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS84W AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 360 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN53D0LW AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, 2N7002 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q104, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 840 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, DMN601TK AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 360 mA 50 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
