onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 500 mA 25 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363
- RS-artikelnummer:
- 739-0189
- Tillv. art.nr:
- FDG6303N
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 739-0189
- Tillv. art.nr:
- FDG6303N
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 500mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 770mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 300mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.25mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 500mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 770mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Maximal effektförlust Pd 300mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.25mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode-fälteffekttransistorer tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 500 mA 25 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 750 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 700 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363
- onsemi, Transistor 500 mA NPN + PNP 30 V, 6 Ben, SOT-363 Isolerad
- onsemi N Kanal, MOSFET, 500 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MMBF170L
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563