onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563
- RS-artikelnummer:
- 805-1141
- Tillv. art.nr:
- 2N7002V
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 500 till för att spara 13%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 50 enheter)*
200,25 kr
(exkl. moms)
250,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 400 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per tejp* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 450 | 4,005 kr | 200,25 kr | - |
| 500 - 950 | 3,452 kr | 172,60 kr | 13% |
| 1000 + | 2,995 kr | 149,75 kr | 25% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 805-1141
- Tillv. art.nr:
- 2N7002V
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 280mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-563 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 250mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Höjd | 600μm | |
| Bredd | 1.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 1.7mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 280mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-563 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 250mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Höjd 600μm | ||
Bredd 1.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 1.7mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode-fälteffekttransistorer tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, Liten signal, 430 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563, NTZS3151P
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.38 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS7002A
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 260 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 620 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101