Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 725-9341
- Tillv. art.nr:
- IRLML0060TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
82,88 kr
(exkl. moms)
103,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 000 enhet(er) från den 24 augusti 2026
- Dessutom levereras 67 660 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 4,144 kr | 82,88 kr |
| 200 - 480 | 3,114 kr | 62,28 kr |
| 500 - 980 | 2,901 kr | 58,02 kr |
| 1000 - 1980 | 2,699 kr | 53,98 kr |
| 2000 + | 2,492 kr | 49,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 725-9341
- Tillv. art.nr:
- IRLML0060TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 92mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.25W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 92mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.25W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.02mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals Power MOSFET 60V till 80V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET