IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q-Class
- RS-artikelnummer:
- 711-5382
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-347
- Tillv. art.nr:
- IXFK27N80Q
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
299,20 kr
(exkl. moms)
374,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 12 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 118 enhet(er) från den 21 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 12 | 299,20 kr |
| 13 + | 244,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 711-5382
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-347
- Tillv. art.nr:
- IXFK27N80Q
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 27A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | HiperFET, Q-Class | |
| Kapseltyp | TO-264 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 320mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 500W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 26.16mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 19.96mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 27A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie HiperFET, Q-Class | ||
Kapseltyp TO-264 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 320mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximal effektförlust Pd 500W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 26.16mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 19.96mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig effekt-MOSFET, IXYS HiperFETTM Q-serien
N-kanals effekt-MOSFET med snabb intrinsisk diod (HiPerFETTM)
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, X2-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 800 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 800 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class