IXYS N Kanal, MOSFET, 32 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- RS-artikelnummer:
- 168-4702
- Tillv. art.nr:
- IXFK32N100Q3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (1 rör med 25 enheter)*
10 753,80 kr
(exkl. moms)
13 442,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 + | 430,152 kr | 10 753,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-4702
- Tillv. art.nr:
- IXFK32N100Q3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 32A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1kV | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Kapseltyp | TO-264 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 320mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 195nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.25kW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 19.96mm | |
| Höjd | 26.16mm | |
| Bredd | 5.13mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 32A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1kV | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Kapseltyp TO-264 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 320mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 195nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.25kW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 19.96mm | ||
Höjd 26.16mm | ||
Bredd 5.13mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- US
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3-serien
IXYS Q3-klass av HiperFET™ Power MOSFETs är lämpliga för både hård switchning och resonansapplikationer, och erbjuder låg gate-laddning med exceptionell robusthet. Enheterna har en snabb egendiod och finns tillgängliga i en mängd olika industristandardiserade paket, inklusive isolerade typer, med märkdata på upp till 1100 V och 70 A. Typiska applikationer är DC-DC-omvandlare, batteriladdare, switchade och resonansmodade nätaggregat, DC Choppers, temperatur- och belysningsstyrning.
Snabb inbyggd likriktardiod
Låg RDS(on) och QG (grindladdning)
Låg inneboende grindresistans
Industriella standardpaket
Låg induktans i paketet
Hög effekttäthet
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class