Vishay N Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFBC30A
- RS-artikelnummer:
- 708-4768
- Tillv. art.nr:
- IRFBC30APBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
131,04 kr
(exkl. moms)
163,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,208 kr | 131,04 kr |
| 50 - 120 | 22,288 kr | 111,44 kr |
| 125 - 245 | 21,012 kr | 105,06 kr |
| 250 - 495 | 19,644 kr | 98,22 kr |
| 500 + | 15,724 kr | 78,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 708-4768
- Tillv. art.nr:
- IRFBC30APBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IRFBC30A | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 74W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Längd | 10.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IRFBC30A | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal effektförlust Pd 74W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.01mm | ||
Längd 10.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 600V till 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFBC30A
- Vishay N Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFBC30
- Vishay N Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHFBC30AS
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STO67N60DM6
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- ROHM N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, R6013VNX
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh