Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHFBC30AS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

414,50 kr

(exkl. moms)

518,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 508,29 kr414,50 kr
100 - 2007,793 kr389,65 kr
250 - 4507,045 kr352,25 kr
500 - 12006,63 kr331,50 kr
1250 +6,218 kr310,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-6093
Tillv. art.nr:
SIHFBC30AS-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

SiHFBC30AS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.2Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

23nC

Maximal effektförlust Pd

74W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.67mm

Höjd

4.83mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, 600V till 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar