STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 103-2000
- Tillv. art.nr:
- STF26NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
2 278,10 kr
(exkl. moms)
2 847,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 050 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 45,562 kr | 2 278,10 kr |
| 250 + | 43,967 kr | 2 198,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 103-2000
- Tillv. art.nr:
- STF26NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 165mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 35W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 165mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 35W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 16.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.6mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, Mdmesh M6