DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 5.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 708-2466
- Tillv. art.nr:
- ZXMP3A16DN8TA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
83,33 kr
(exkl. moms)
104,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 16,666 kr | 83,33 kr |
| 25 - 45 | 14,068 kr | 70,34 kr |
| 50 - 245 | 13,35 kr | 66,75 kr |
| 250 - 495 | 10,998 kr | 54,99 kr |
| 500 + | 9,676 kr | 48,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 708-2466
- Tillv. art.nr:
- ZXMP3A16DN8TA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 70mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 4mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Dubbel P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 5.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 7.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 4.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 8.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 10.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101