DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 8.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 921-1029
- Tillv. art.nr:
- DMC3026LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
170,76 kr
(exkl. moms)
213,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 40 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 160 enhet(er) från den 22 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 8,538 kr | 170,76 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 921-1029
- Tillv. art.nr:
- DMC3026LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 29mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 700mV | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Standarder/godkännanden | MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Bredd | 3.95mm | |
| Längd | 4.95mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 29mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 700mV | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Standarder/godkännanden MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | ||
Höjd 1.5mm | ||
Bredd 3.95mm | ||
Längd 4.95mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 8.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 4.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 10.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 7.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 5.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 7.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC