onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT

RS-artikelnummer:: 124-1726
Tillv. art.nr:: NDT452AP
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

17 616,00 kr

(exkl. moms)

22 020,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 15 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
4000 +	4,404 kr	17 616,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 124-1726
Tillv. art.nr:: NDT452AP
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	NDT
	Kapseltyp	SOT-223
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	65mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	22nC
	Minsta arbetsstemperatur	-65°C
	Maximal effektförlust Pd	3W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	3.56mm
	Höjd	1.6mm
	Längd	6.5mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie NDT
	Kapseltyp SOT-223
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC
	Minsta arbetsstemperatur -65°C
	Maximal effektförlust Pd 3W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 3.56mm
	Höjd 1.6mm
	Längd 6.5mm
	Fordonsstandard Nej

Enhancement Mode P-kanal MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors sortiment av P-kanaliga MOSFETS tillverkas med ON Semis egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet och ge en robust och tillförlitlig prestanda för snabb omkoppling.

Funktioner och fördelar:

• Spänningsstyrd P-kanalsswitch för små signaler

• Cellkonstruktion med hög densitet

• Hög mättnadsström

• Överlägsen omkoppling

• Mycket robust och tillförlitlig prestanda

• DMOS-teknik

Användningsområden:

• Lastväxling

• DC/DC-omvandlare

• Batteriskydd

• Kontroll av strömhantering

• Styrning av DC-motor

MOSFET-transistorer, ON Semi

ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.