Infineon N Kanal, MOSFET, 190 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 688-6813
- Tillv. art.nr:
- IRF1404ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
49,17 kr
(exkl. moms)
61,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 38 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 668 enhet(er) från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 24,585 kr | 49,17 kr |
| 20 - 48 | 19,43 kr | 38,86 kr |
| 50 - 98 | 18,145 kr | 36,29 kr |
| 100 - 198 | 17,025 kr | 34,05 kr |
| 200 + | 15,735 kr | 31,47 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 688-6813
- Tillv. art.nr:
- IRF1404ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 190A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 220W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.54mm | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 190A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 220W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.54mm | ||
Höjd 8.77mm | ||
Bredd 4.69mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 180 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40 V maximal dräneringskällspänning - IRF1404ZPBF
Denna MOSFET är en högpresterande effektkomponent som är utformad för en mängd olika tillämpningar inom fordons- och industrisektorerna. Med en robust kontinuerlig dräneringsström på 180 A och en maximal dräneringskällspänning på 40 V utmärker den sig i krävande miljöer. TO-220AB-kapseltypen underlättar enkel montering, vilket säkerställer effektiv integrering i elektroniska kretsar och system.
Funktioner & fördelar
• Använder HEXFET-teknik för ökad effektivitet
• Utformad för förstärkningsläge för att optimera omkopplingen
• Ger snabb omkopplingshastighet för att öka den övergripande effektiviteten
• Kan hantera repetitiv avalanche för att förbättra tillförlitligheten
Användningsområden
• Idealisk för användning i motorstyrningskretsar
• Används i nätaggregat och omvandlare
• Utformad för användning inom fordonsindustrin
• Lämpligt för olika industriella automationssystem
• Effektiv inom strömhantering och omkoppling
Hur gynnar den låga påslagningsresistansen mina tillämpningar?
Den låga påslagningsresistansen på 2,7 mΩ minskar ledningsförlusterna, vilket förbättrar den övergripande effektiviteten i strömomvandlings- och energihanteringssystem.
Vad händer om enheten överskrider sin maximala drifttemperatur?
Överskridande av den maximala driftstemperaturen på +175 °C kan leda till prestandaförsämring och potentiellt fel, vilket betonar behovet av adekvat värmehantering.
Kan detta användas i parallella konfigurationer?
Ja, när den används i parallella konfigurationer är det avgörande att balansera strömfördelningen mellan enheter för att undvika överhettning och maximera prestandan.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 190 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 190 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET