STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 485-7686
- Tillv. art.nr:
- STP4NK60Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
123,65 kr
(exkl. moms)
154,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 40 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 2 350 enhet(er) från den 18 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 24,73 kr | 123,65 kr |
| 50 - 245 | 14,516 kr | 72,58 kr |
| 250 - 495 | 10,238 kr | 51,19 kr |
| 500 + | 7,988 kr | 39,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 485-7686
- Tillv. art.nr:
- STP4NK60Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 70W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 70W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 9.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH