STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 53 A 500 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 168-6097
- Tillv. art.nr:
- STE53NC50
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rör med 10 enheter)*
3 174,53 kr
(exkl. moms)
3 968,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 10 + | 317,453 kr | 3 174,53 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-6097
- Tillv. art.nr:
- STE53NC50
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 53A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapseltyp | ISOTOP | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 310nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 460W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 9.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 38.2mm | |
| Bredd | 25.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 53A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapseltyp ISOTOP | ||
Typ av fäste Panel | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 310nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 460W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 9.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 38.2mm | ||
Bredd 25.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 53 A 500 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.3 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7.2 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH