STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 168-7564
- Tillv. art.nr:
- STD1NK60-1
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 75 enheter)*
477,825 kr
(exkl. moms)
597,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 825 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 75 - 675 | 6,371 kr | 477,83 kr |
| 750 - 1800 | 5,727 kr | 429,53 kr |
| 1875 + | 4,695 kr | 352,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7564
- Tillv. art.nr:
- STD1NK60-1
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | IPAK | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp IPAK | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1.85 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, IPAK, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh, SuperMESH
