STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

24,75 kr

(exkl. moms)

30,938 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 722 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 212,375 kr24,75 kr
4 +11,985 kr23,97 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-5083
Tillv. art.nr:
STB80NF55L-06T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

STripFET II

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

100nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

300W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Höjd

4.6mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar