STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 761-0405
- Tillv. art.nr:
- STB55NF06LT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
106,85 kr
(exkl. moms)
133,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 460 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,37 kr | 106,85 kr |
| 50 - 245 | 17,396 kr | 86,98 kr |
| 250 - 495 | 13,25 kr | 66,25 kr |
| 500 + | 11,754 kr | 58,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-0405
- Tillv. art.nr:
- STB55NF06LT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 95W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximal effektförlust Pd 95W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II