onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
671-5253
Tillv. art.nr:
FQPF2N80
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-220

Serie

QFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.3Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.4V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12nC

Maximal effektförlust Pd

35W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

9.19mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.16mm

Fordonsstandard

Nej

QFET® N-kanalig MOSFET, upp till 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductors nya plana QFET® MOSFETs använder avancerad, egenutvecklad teknik för att erbjuda förstklassig driftprestanda för ett brett spektrum av applikationer, inklusive strömförsörjning, PFC (Power Factor Correction), DC-DC-omvandlare, Plasma Display Panels (PDP), belysningsballaster och rörelsekontroll.

De ger minskad on-state-förlust genom lägre on-resistans (RDS(on)) och minskad switchförlust genom lägre grindladdning (Qg) och utgångskapacitans (Coss). Genom att använda avancerad QFET®-processteknik kan Fairchild erbjuda en förbättrad FOM (figure of merit) jämfört med konkurrerande plana MOSFET-enheter.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar