onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

163,30 kr

(exkl. moms)

204,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +32,66 kr163,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
671-5161
Tillv. art.nr:
FQP6N80C
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-220

Serie

QFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

21nC

Maximal effektförlust Pd

158W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.4V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

9.4mm

Längd

10.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

QFET® N-kanalig MOSFET, upp till 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductors nya plana QFET® MOSFETs använder avancerad, egenutvecklad teknik för att erbjuda förstklassig driftprestanda för ett brett spektrum av applikationer, inklusive strömförsörjning, PFC (Power Factor Correction), DC-DC-omvandlare, Plasma Display Panels (PDP), belysningsballaster och rörelsekontroll.

De ger minskad on-state-förlust genom lägre on-resistans (RDS(on)) och minskad switchförlust genom lägre grindladdning (Qg) och utgångskapacitans (Coss). Genom att använda avancerad QFET®-processteknik kan Fairchild erbjuda en förbättrad FOM (figure of merit) jämfört med konkurrerande plana MOSFET-enheter.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar