onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- RS-artikelnummer:
- 166-1890
- Tillv. art.nr:
- FQPF3N80C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 166-1890
- Tillv. art.nr:
- FQPF3N80C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | QFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal effektförlust Pd | 39W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.16mm | |
| Höjd | 9.19mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie QFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal effektförlust Pd 39W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.16mm | ||
Höjd 9.19mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
QFET® N-kanalig MOSFET, upp till 5,9 A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nya plana QFET® MOSFETs använder avancerad, egenutvecklad teknik för att erbjuda förstklassig driftprestanda för ett brett spektrum av applikationer, inklusive strömförsörjning, PFC (Power Factor Correction), DC-DC-omvandlare, Plasma Display Panels (PDP), belysningsballaster och rörelsekontroll.
De ger minskad on-state-förlust genom lägre on-resistans (RDS(on)) och minskad switchförlust genom lägre grindladdning (Qg) och utgångskapacitans (Coss). Genom att använda avancerad QFET®-processteknik kan Fairchild erbjuda en förbättrad FOM (figure of merit) jämfört med konkurrerande plana MOSFET-enheter.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 13.6 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET