Sök efter MPN

onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

RS-artikelnummer:: 671-0747
Distrelec artikelnummer:: 304-43-728
Tillv. art.nr:: FDS8949
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

72,02 kr

(exkl. moms)

90,025 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

3 130 enhet(er) levereras från den 02 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	14,404 kr	72,02 kr
50 - 95	12,454 kr	62,27 kr
100 - 495	10,774 kr	53,87 kr
500 - 995	9,43 kr	47,15 kr
1000 +	8,624 kr	43,12 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 671-0747
Distrelec artikelnummer:: 304-43-728
Tillv. art.nr:: FDS8949
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	PowerTrench
	Kapseltyp	SOIC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	29mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	2W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	7.7nC
	Framåtriktad spänning Vf	0.8V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Bredd	4mm
	Längd	5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.5mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie PowerTrench
	Kapseltyp SOIC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 29mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 2W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.7nC
	Framåtriktad spänning Vf 0.8V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Bredd 4mm
	Längd 5mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.5mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

MOSFET med dubbla N-kanaler för fordonsindustrin, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor tillhandahåller lösningar som löser komplexa utmaningar på fordonsmarknaden med en grundlig kunskap om kvalitets-, säkerhets- och tillförlitlighetsstandarder.

MOSFET-transistorer, ON Semi

ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.