onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 671-0719
- Tillv. art.nr:
- FDS8858CZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
59,22 kr
(exkl. moms)
74,025 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 35 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 4 290 enhet(er) från den 08 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 11,844 kr | 59,22 kr |
| 50 - 95 | 10,21 kr | 51,05 kr |
| 100 - 495 | 8,848 kr | 44,24 kr |
| 500 - 995 | 7,782 kr | 38,91 kr |
| 1000 + | 7,082 kr | 35,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-0719
- Tillv. art.nr:
- FDS8858CZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 21mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 21mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® MOSFET med dubbla N/P-kanaler, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.
De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Genom att utnyttja denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.
PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda som mjukkroppsdioder kan eliminera snubberkretsar eller ersätta MOSFET:er med högre spänning.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench