Infineon N Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 650-4772
- Tillv. art.nr:
- IRFP4227PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
40,99 kr
(exkl. moms)
51,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Dessutom levereras 11 enhet(er) från den 07 september 2026
- Sista 11 enhet(er) levereras från den 14 september 2026
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 40,99 kr |
| 10 - 24 | 38,86 kr |
| 25 - 49 | 37,41 kr |
| 50 - 99 | 35,73 kr |
| 100 + | 33,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 650-4772
- Tillv. art.nr:
- IRFP4227PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 65A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 25mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 330W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.3mm | |
| Höjd | 20.3mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 65A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 25mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 330W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.3mm | ||
Höjd 20.3mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 65 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 330 W maximal effektförlust - IRFP4227PBF
Denna MOSFET fungerar som en viktig komponent i moderna elektroniska tillämpningar, vilket ger tillförlitlig styrning och omkoppling för högeffektsystem. Den levererar robusta prestanda och effektivitet, vilket gör den lämplig för en mängd olika industriella uppgifter, särskilt i miljöer där hög termisk resistans och låga ledningsförluster är avgörande. Utformningen av förstärkningsläget underlättar optimal drift under olika förhållanden, vilket gör den idealisk för automation, elektriska system och mekaniska tillämpningar.
Funktioner & fördelar
• Ger 65 A kontinuerlig dräneringsström för intensiva tillämpningar
• Fungerar effektivt vid en maximal dräneringskällspänning på 200 V
• Låg RDS(on) bidrar till energieffektivitet under användning
• Klassad för hög temperaturtolerans upp till 175 °C
• Optimerad för snabb omkoppling med minimala fall- och stigtider
• Erbjuder utmärkt repetitiv avalanche-kapacitet för förbättrad systemtillförlitlighet
Användningsområden
• Används i energiåtervinningssystem för att förbättra effektiviteten
• Kompatibel med PDP sustain för effektiv prestanda
• Lämplig för motorstyrkretsar med hög effekt som kräver exakt styrning
• Används i switchade nätaggregat inom automationsprocesser
• Används i professionella ljudförstärkare för effektiv utgångshantering
Vad är den maximala strömmen som kan hanteras vid förhöjda temperaturer?
Den kan hantera en kontinuerlig dräneringsström på 46 A vid 100 °C, vilket säkerställer funktionalitet i tuffa miljöer.
Hur fungerar denna komponent under pulserande förhållanden?
Den pulserande dräneringsströmmen kan nå upp till 130 A, vilket gör den lämplig för transienttillämpningar.
Vilka är kylningskraven vid användning av denna enhet?
Den har en termisk resistans på 0,45 °C/W från koppling till hölje, vilket kräver effektiva värmeavledningsmekanismer för optimal drift.
Vilken typ av montering krävs för installationen?
Installation kräver montering med genomgående hål, lämplig för robusta tillämpningar som behöver solida anslutningar.
Hur påverkar grindladdningen omkopplingshastigheten?
Den har en typisk total grindladdning på 70 nC, vilket möjliggör snabb och effektiv omkoppling, vilket är avgörande i höghastighetstillämpningar.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET