Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-artikelnummer:: 919-4766
Tillv. art.nr:: IRFZ34NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

För närvarande inte tillgänglig

Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.

RS-artikelnummer:: 919-4766
Tillv. art.nr:: IRFZ34NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	29A
	Maximal källspänning för dränering Vds	55V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	40mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	68W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	34nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.6V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	4.4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	8.77mm
	Längd	10.54mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A
	Maximal källspänning för dränering Vds 55V
	Kapseltyp TO-220
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 68W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.6V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 4.4mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 8.77mm
	Längd 10.54mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 29 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 68 W maximal effektförlust - IRFZ34NPBF

Denna MOSFET är skräddarsydd för avancerade elektroniska applikationer, särskilt där hög effektivitet och tillförlitlighet är avgörande. Dess N-kanalskonfiguration möjliggör effektiv omkoppling och modulering av elektriska strömmar i kraftsystem. Med en maximal drain-source-spänning på 55V och en kontinuerlig drain-ström på 29A är denna komponent avgörande för högpresterande konstruktioner inom automations- och elektroniksektorerna.

Funktioner & fördelar

• Ultralåg on-resistans för minimal strömförlust

• Maximal effektförlust på 68 W för robust funktionalitet

• Hög temperaturtolerans på upp till 175°C säkerställer långsiktig prestanda

• Kompatibel med genomgående hålmontering för enkel integrering

• Dynamisk dv/dt-klassificering möjliggör applikationer med snabb omkoppling

• Transistor med förstärkningsläge förbättrar enhetens effektivitet

Användningsområden

• Används i strömförsörjningskonstruktioner för effektiv energihantering

• Anställd inom motorstyrning för exakt hastighetsreglering

• Lämplig för diskret omkoppling inom konsumentelektronik

• Används inom industriell automation för att förbättra systemets tillförlitlighet

• Lämplig för fordonsindustrin som kräver hög effekthantering

Vad är den maximala kontinuerliga dräneringsströmmen vid 100°C?

Vid 100°C är den kontinuerliga dräneringsströmmen 20A, vilket garanterar tillförlitlighet under förhållanden med höga temperaturer.

Hur gynnar den låga on-resistansen kretseffektiviteten?

En låg RDS(on) minskar effektförlusterna under drift, vilket ökar den totala kretseffektiviteten och minimerar värmeutvecklingen.

Kan den användas för parallella konfigurationer?

Ja, konstruktionen gör det enkelt att parallellkoppla, vilket förbättrar strömhanteringen för högeffektsapplikationer.

Vilka konsekvenser får den maximala gate-source-spänningen?

Den maximala gate-source-spänningen på ±20V garanterar säker drift och skyddar mot skador under vanliga switchaktiviteter.

Vilken inverkan har temperaturen på prestandan?

Med ett drifttemperaturområde från -55°C till +175°C upprätthåller den driftsintegriteten under extrema förhållanden, vilket gör den lämplig för en mängd olika applikationer.