Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-4858
- Tillv. art.nr:
- IRF9Z24NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (50 enheter, i ett rör med 50)*
395,15 kr
(exkl. moms)
493,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 7,903 kr | 395,15 kr |
| 100 - 200 | 5,609 kr | 280,45 kr |
| 250 - 450 | 5,295 kr | 264,75 kr |
| 500 - 1200 | 4,901 kr | 245,05 kr |
| 1250 + | 4,505 kr | 225,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-4858
- Tillv. art.nr:
- IRF9Z24NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 175mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Längd | 10.54mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 175mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.69mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 8.77mm | ||
Längd 10.54mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 12 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 45 W maximal effektförlust - IRF9Z24NPBF
Denna högpresterande MOSFET är konstruerad för effektiv strömhantering i olika applikationer. Med en P-kanalskonfiguration är den väl lämpad för kontrollerad switchning och förbättrat strömflöde. Produkten spelar en avgörande roll när det gäller att driva högeffektslaster och säkerställa konsekvent prestanda och termisk stabilitet under utmanande förhållanden.
Funktioner & fördelar
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 12A
• Maximal drain-source-spänning på 55V
• Låg RDS(on) på 175mΩ för minskad effektförlust
• Fungerar med både negativ och positiv gate-source-spänning
Användningsområden
• Används i kraftstyrningssystem för automatisering
• Används i switchade nätaggregat för elektronik
• Fördelaktig i ljudförstärkare för förbättrad prestanda
• Vanlig i olika typer av konsumentelektronik för effektiv energianvändning
Vad är den typiska gate-laddningen för optimal prestanda?
Den typiska gate-laddningen är 19nC vid en gate-source-spänning på 10V, vilket ger effektiva switchegenskaper.
Hur påverkar kanaltypen funktionaliteten?
Som en MOSFET med P-kanal möjliggör den bättre integration i applikationer med högsidiga växlar, vilket utökar de potentiella användningsscenarierna i kraftkretsar.
Vad har temperaturintervallet för betydelse?
Drifttemperaturområdet från -55°C till +175°C garanterar tillförlitlighet i olika miljöer, vilket gör den mångsidig för olika industriella tillämpningar.
Kan den användas i högfrekventa switchapplikationer?
Ja, kombinationen av låg gate-laddning och lågt motstånd gör den lämplig för högfrekvensapplikationer, vilket förbättrar prestandan.
Vilka överväganden bör göras vid installationen?
Säkerställ korrekt värmehantering och lämplig montering för att underlätta effektiv värmeavledning, vilket kan förbättra livslängden och driftsäkerheten.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 74 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET