Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 912-8687
- Tillv. art.nr:
- IRF2805PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 229,75 kr
(exkl. moms)
1 537,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 24,595 kr | 1 229,75 kr |
| 100 - 200 | 23,368 kr | 1 168,40 kr |
| 250 - 450 | 22,382 kr | 1 119,10 kr |
| 500 - 950 | 20,908 kr | 1 045,40 kr |
| 1000 + | 19,676 kr | 983,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 912-8687
- Tillv. art.nr:
- IRF2805PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 330W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 16.51mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximal effektförlust Pd 330W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 16.51mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 75 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 330 W maximal effektförlust - IRF2805PBF
Denna power-MOSFET ger utmärkta prestanda för olika elektroniska applikationer. De robusta specifikationerna är utformade för industriella miljöer och garanterar både tillförlitlighet och effektivitet. Med låg on-resistans har denna komponent hög strömkapacitet, vilket gör den lämplig för avancerade kretsar.
Funktioner & fördelar
• Stöder en maximal kontinuerlig dräneringsström på 75A
• Förbättrar effektiviteten med en låg RDS(on) på 4,7mΩ
• Kompatibel med +20 V/-20 V gate-source-spänning för ökad flexibilitet
• Snabba växlingshastigheter för att uppfylla dynamiska prestandabehov
• Stödjer repetitiv hantering av laviner för operativ motståndskraft
Användningsområden
• Används i industriella motorstyrningar för effektiv effektreglering
• Lämplig för strömhantering i automationssystem
• Används i system för förnybar energi för effektiv växling
• Används i högpresterande och hållbara elverktyg
• Användbar i batterihanteringssystem för elfordon
Vilken är den högsta temperatur som denna komponent tål?
Den kan arbeta inom ett temperaturområde på -55°C till +175°C för prestanda under extrema förhållanden.
Hur klarar denna MOSFET högströmsapplikationer?
Den är konstruerad för att klara en kontinuerlig dräneringsström på 75 A, vilket gör den lämplig för höga strömkrav.
Kan den användas i applikationer med krav på snabb omkoppling?
Ja, denna MOSFET stöder snabba växlingshastigheter, perfekt för applikationer som kräver dynamisk prestanda.
Är den här enheten lämplig för användning i växelriktare?
Ja, dess termiska stabilitet och förmåga att hantera höga strömmar gör den lämplig för applikationer med kraftomvandlare i system för förnybar energi.
Vilka är konsekvenserna av dess låga on-resistens?
Den låga RDS(on) minskar effektförlusterna under drift, vilket bidrar till förbättrad effektivitet och termisk prestanda.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 49 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 51 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET